鄄城供电公司多措并举推进电能替代

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【图文导读】图一蓝宝石上退火Ni薄膜的实验观察（a）热处理后，供电公司蓝宝石上Ni薄膜的AFM形貌图像，供电公司图中显示了边缘周围存在（青绿色箭头）和不存在（品红色箭头）脊的凹谷（b）a中青绿色箭头穿过孔洞的线性地形剖面图，其表明凹陷晶粒周边存在一个Ni脊（c）同一孔洞的三维图像，表示一个隆起的脊围绕着凹陷的晶粒（d）a中洋红色箭头穿过孔洞的线性地形剖面图，其表明没有形成可测量的脊（e）同一个孔洞周围的三维图像，其表明晶粒下沉所留下的凹陷图二形态演化模型的发展和结果（a）Ni/蓝宝石模型，其表示沿着Ni表面、沿着下沉的中间谷与外部谷之间的晶界（A为晶界原本位置）和沿着Ni/蓝宝石界面（B是晶界的交界和界面的位置）的Ni通量的模型（b）700°C下，当晶界根部撞击金属/陶瓷界面时，三种不同界面扩散（分别用黑色、绿色和红色表示）的表面形貌y(r)与时间t的关系曲线（c）计算失踪Ni体积ΔV与时间的关系曲线图三Ni/Al2O3界面能的DFT预测（a）Ni/蓝宝石界面的非弛豫、原子模型，黑色、蓝色和红色分别代表Ni、Al和O（b）Ni/蓝宝石界面的界面能，考虑到三个Ni平移（A、B、C）和三个蓝宝石端基（2Al-端基、Al-端基、O-端基分别用黑色、品红和蓝色表示），用虚线青蓝色的点垂线表示两个边界图四空位形成能与界面距离d的变化（a）O-端基和2Al-端基蓝宝石界面上Ni空位的形成能，水平虚线表示块体应变Ni中的空位形成，对应于M1外延（b）两端的中性O空位的形成能（c）两端的中性Al空位的形成能图五形成能的对比预测几种金属/陶瓷体系中金属/陶瓷界面的空位形成能与块体金属中的空位形成能的比值，水平轴表示金属，三条曲线表示不同的陶瓷，Ni/Al2O3、Cu/Al2O3和Ti/Al2O3数据直接来自于DFT计算【小结】本文从实验上和计算上表明，Ni/蓝宝石界面的扩散速率非常快，其中第一性原理的空位形成能和迁移能计算表明该界面上的内聚能相对较低（与块体Ni相比）。该结论为材料设计应用于多领域提供了易于实现的指导方案，多措电特别是在能源和微电子行业。

并举Ni/α-Al2O3衬底上的多晶Ni薄膜的成孔结合连续扩散分析表明沿着Ni/α-Al2O3界面扩散非常快。推进替代这样仅对金属/金属和金属/半导体界面进行小规模测量。但并不知金属/陶瓷界面上金属扩散系数的直接测量方法，鄄城间接证据表明，鄄城金属/陶瓷界面可能是金属原子的高扩散路径，可以推测，沿金属/陶瓷界面的扩散可以与沿其他内部界面的扩散相媲美。

第一性原理计算表明连贯的Ni/α-Al2O3界面上的Ni空位和迁移能均远小于块体Ni，供电公司这也就表明沿着连贯的Ni/α-Al2O3界面的扩散活化能可与沿着晶界所产生的活化能相媲美。基于这种结果，多措电研究人员开发了一种可用于沿着金属/陶瓷界面扩散的简单模型，多措电并将其应用于金属/陶瓷体系，同时应用了几个从头算（abinitiocalculations）验证了该模型。

对于大多数金属/陶瓷体系（密实的金属和蓝宝石、并举二氧化硅、并举二氧化锆），界面上的扩散快于块体中的扩散，而且多数情况下可与金属的晶界扩散相媲美，但也有例外，其根据界面的内聚能所定。

但是，推进替代金属-氧键（氧化物陶瓷）可能远高于金属原子间的键，这表明沿着金属/陶瓷界面的扩散可能受到抑制。欧若德门窗凭借深耕门窗行业多年的实践思考和技术革新，鄄城构建出以消费者需求为导向的多元化、鄄城个性化产品矩阵，以更精细化的产品赢得了消费者的认可。

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